Article on other languages:
- Диод_на_Шотки
- Schottkyho_dioda
- Schottky-diode
- Schottky-Diode
- Schottky_diode
- Diodo_Schottky
- Diode_Schottky
- ショットキーバリアダイオード
- Šotkio_diodas
- Šotkija_diode
- Schottkydiode
- Dioda_Schottky'ego
- Diodo_Schottky
- Diodă_Schottky
- Диод_Шоттки
- Dióda#Schottkyho_di.C3.B3da
- Schottkydiod
- Діод_Шотткі
 |
del.icio.us |
 |
Digg |
 |
Furl |
 |
|
 |
Rojo |
| Add to OnlyWire |
El díode Schottky (anomenat així pel físic alemany Walter H. Schottky) és un díode amb una caiguda de tensió en conducció directa molt baixa. Una aplicació típica és la protecció contra descàrregues de les cèl·lules solars connectades a bateries. Mentre que un díode estàndard de silici té una caiguda en directa de 0.6 V, als díodes Schottky sols és de 0.2 V.
El díode Schottky usa una unió metal-semiconductor com una barrera Schottky (en comptes de la unió semiconductor-semiconductor en els díodes convencionals). Aquesta barrera Schottky fa que els temps de commutació siguen molt ràpids i el voltatge en polarització directa baix. Com a metall se sol usar el molibdè, platí, crom o tungstè. El semiconductor normalment és tipus n.
Una de les àrees d'investigació contínua sobre el díode Schottky es centra en la reducció de les elevades corrents de fuita que apareixen a temperatures superiors a 100ºC.
